Рейтинг пользователей: / 0
ХудшийЛучший 
УДК 53.088
Радченко Ирина Николаевна,Кутовой Игорь Станиславович,,,,,
ТРОЙНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
Radchenko I.N., Kutovoy I.S.
ТРОЙНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Аннотация. В статье приведены результаты анализа и обсуждение литературных данных по использованию компенсированного кремниевого сырья при росте слитков мультикристаллического кремния (mc-Si). Рассмотрены положительные и отрицательные аспекты влияния эффекта компенс

Ключевые слова: мультикристаллический кремний, легирование, компенсация, удельное электрическое сопротивление, разностная концентрация носителей заряда

Abstract. . The paper presents results and discussion of literature data analysis about using of compensated silicon feedstock for multicrystalline silicon ingots preparation. Positive and negative aspects of compensation impact on electrical properties and mc-Si b

Keywords: multicrystalline silicon, compensation, doping, specific resistivity, net dopant concentration

ЧИТАТЬ ВЕСЬ ТЕКСТ >>>

 
Секции-март 2016