Аннотация. Проведено общее исследование барьерных переходов металл-полупроводник, которое основано на химическом взаимодействии. Проанализировано влияние инжекции неосновных носителей заряда на характеристики реальной структуры металл-полупроводник с учетом эффекта
Ключевые слова: химическое взаимодействие, коэффициент инжекции, барьерный переход металл-полупроводник, реакция переноса.
Abstract. A general study of the barrier metal-semiconductor transition, which is based on the chemical interaction, is made. The effect of the minority carriers injection on the metal-semiconductor real structure characteristics including the fast and slow conditi
Keywords: chemical reaction, injection rate, the barrier metal-semiconductor transition, the transfer reaction.